近日，由中电海康集团有限公司牵头实施的国家科技重大专项“新型半导体存储器关键技术研发与应用验证”，在青山湖科技城举行课题启动会。

　　国家科技重大专项是为了实现国家目标，通过核心技术突破和资源集成，在一定时限内完成的重大战略产品、关键共性技术和重大工程，实施国家科技重大专项是提升我国创新能力和实现跨越发展的必由之路。中电海康项目旨在进行新型高端存储器（STT-MRAM）的核心关键技术研发及应用验证，研制新型半导体存储器产品，快速积累相关核心知识产权，为我国半导体存储器技术和产业发展提供储备，为下一步自主可控新型处理器架构创新提供支撑。同时，利用所建核心技术工艺平台及自旋磁电子共性核心技术，开发高性能磁传感器技术与产品，推动我国高端高性能磁传感器技术研发与产业化。

　　中电海康集团董事长陈宗年说，“新型半导体存储器关键技术研发与应用验证”课题的立项和实施从各方面都体现出国家的战略需求，能承担该国家科技重大专项任务，对于所有参与单位来说是一次重大的机遇和挑战。同时，该课题还是对国家存储器产业发展和实现自主可控的重大支撑。

　　据了解，STT-MRAM新型存储器具有高速、高密度、高可重写次数、低功耗、非易失、抗辐射、耐高温、抗恶劣环境等优异性能。因此，在人工智能、物联网、未来计算机体系结构、穿戴设备、航空航天、汽车电子、医疗等与国计民生息息相关的领域中有着广泛的应用前景和巨大的市场空间，代表着未来存储技术的一个重要发展方向。沿着这一发展趋势，通过课题的实施，实现存储芯片的自主设计与制造，推动芯片研发和应用取得重大突破，对提升对我国信息产业升级及国家信息安全、自主可控具有重大意义。