“三星想通过其4纳米制程工艺在HBM（高带宽内存）领域占据主导地位。”《韩国经济日报》7月16日报道称，全球最大的内存芯片制造商之一——三星电子公司计划使用其尖端工艺生产下一代高带宽内存HBM4，该型号是为人工智能（AI）设备提供动力的核心芯片，三星想以此举对抗其竞争对手——SK海力士和台积电。

　　据“韩国商业”网站报道，HBM是一种用于显卡、数据中心、人工智能等高性能计算应用的内存芯片。与传统内存芯片相比，它的效率更优。AI热潮下，机器学习等需要大量计算能力和内存带宽，对HBM需求增加。

　　去年4月，韩国存储芯片制造商SK海力士和台湾晶圆代工企业台积电签署了合作开发HBM4的谅解备忘录，为AI领域的头部企业英伟达提供相关产品，这一合作被很多媒体称为“HBM联盟”。

　　目前，为SK海力士拿下HBM市占率第一宝座的产品是HBM3。业内人士透露，SK海力士正加快开发HBM4和HBM4E，计划在2025年和2026年量产，以与英伟达的AI加速器发布时间一致。受益于英伟达股价上涨，作为其重要供应商，SK海力士的价值也在上升。

　　一直以来，三星与SK海力士在存储芯片市场竞争激烈。AI热潮下，双方更是通过新产品开发和大规模生产来获得优势。据《韩国经济》报道，面对SK海力士和台积电组成的联盟，三星电子决定利用自身“综合半导体企业”的优势，独自完成HBM生产、芯片设计等工作。从明年开始批量生产的HBM4市场的竞争格局将是“三星电子VS台积电+SK海力士”。

　　三星此次押注4纳米被业内认为是要收复HBM市场份额的“失地”，目前SK海力士在这一市场仍排名第一。当初业内很多人预测，三星电子将在HBM4生产上使用7纳米或8纳米工艺，因为三星7纳米工艺从2019年开始广泛使用，是稳定工艺，但此次三星一下子提升至4纳米，是为了实现“HBM的逆转”。半导体业界相关人士表示，“和7纳米、8纳米相比，4纳米制程花费很大，但在芯片性能和用电量方面表现更优秀”。

　　Trend Force集邦咨询透露，三星电子4纳米工艺良率已达到70%以上，与台积电水平相似。因此有分析称，若提高价格竞争力，三星或许有机会。

　　“与台积电和SK海力士不同，芯片设计人员参与HBM4生产是我们的独特优势。”三星一位高管表示。据“韩国商业”网站报道，三星电子已在其设备解决方案部门新设“HBM开发组”，新成立的开发团队将专注于推进HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术。

　　对于三星的计划，SK海力士和台积电已准备采取相应措施。据《韩国经济日报》报道，两家公司决定在原计划的12纳米制程基础上，增加5纳米制程工艺来生产HBM4。

　　“三星和SK海力士之间争夺AI芯片霸权的竞争正在升温，尤其是在HBM4芯片方面。三星面临的第一个挑战是让其HBM芯片获得英伟达的批准。”《韩国经济日报》援引一位专业人士的话分析称。此外，美国存储芯片企业美光也将目光锁定HBM市场，该公司6月公布的一份报告显示，其计划将HBM市场份额从目前的“中等个位数”提高到一年后的20%左右。

　　在全球HBM市场上，根据Trendforce集邦咨询数据，SK海力士2024年市场份额预计将超过52%，三星紧随其后，为42.4%，而美光预计只占据5%的市场份额。“我们认为三星需要一些时间才能赶上，这是因为存在一定的技术差异，”《日经亚洲评论》援引惠誉分析师谢莉·江的话表示，“从中长期来看，我们认为市场结构不会发生巨大变化”。

　　此前，SK海力士还发布全球招聘广告，为48个HBM相关职位招聘有经验的员工。《韩国经济日报》报道说，三星电子对此处于高度戒备状态，因为它正面临着超过6500名的工人罢工，且半导体部门的员工是此次罢工的主力。但据韩国《朝鲜日报》11日报道，目前三星电子的5个工会中只有“全国三星电子工会”在罢工。由于参与罢工的人数较少，实际芯片生产出现问题的可能性不大。但是由于信赖度下降，招揽客户方面或许会遇到阻碍。