今年1月16日，青山湖科技城微纳智造小镇建设拉开序幕，以芯片设计研发测试、半导体关键设备制造和智能传感器与物联网应用集成为产业方向。时隔半年，进展如何？记者从青山湖科技城管委会了解到，除了启动仪式上签约的十个项目，又有几个微纳智造领域的新项目落地，集聚效应初现。

　　说到微纳智造小镇，不得不提中电海康，它是小镇的重要支撑，一些项目的落地就是受中电海康的吸引而来。

　　中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地，是探索新型存储芯片—STT-MRAM的创新中心。磁旋存储芯片技术基于法德两国科学家发现的巨磁电阻现象，曾于2007年获得诺贝尔物理学奖。STT-MRAM和目前使用的主流半导体存储芯片相比，兼具RAM内存读写和擦写速度极高的优点，和NAND闪存非易失、低能耗、高密度的特点，属于下一代新型存储器芯片两大热点发展方向之一。

　　“现在要跻入成熟存储器芯片市场，至少要投入几百个亿，产品出来还要面临三星、海力士与镁光三大全球垄断巨头的激烈市场打压，因为起步晚而技术更新快，填平其间的鸿沟需要的不仅仅是钱，还有技术积累必需的大量时间。”科技城管委会商务局梅华灯介绍，主攻磁旋存储芯片研发好比换赛道超车，充分利用技术更新换代，拉平起跑线的短暂时间空档，去快速抢占新领域制高点。

　　存储器芯片的重要性类似于海马体之于大脑，我们身边的手机、PC、平板、笔记本，都有它的存在，是电子信息行业的重要元器件。高端存储器目前被韩国和美国垄断，其中韩国三星公司市场占有率近45%。据行业分析师预计，就DRAM芯片来说，三星每卖出1美元，就有约70美分的利润。同时，芯片之战还不完全在于高附加值，填补我国高端存储芯片领域的空白，有利于早日掌握电子信息领域核心自主技术和知识产权，促进国家网络安全和信息化战略的实施。

　　磁旋存储芯片研发及中试基地项目投资15亿元，目前中试科研楼、科研办公楼、综合楼已基本落成，70多名科研人员已入驻，进入设备安装调试阶段，年内有望试流片。梅华灯说，磁旋存储芯片所具有的低功耗、高密度和非易失特性，十分适用于物联网，比如中电海康旗下的海康威视智能安防产品就是它的绝佳终端应用。磁旋存储芯片一旦成功量产，对微纳智造小镇建设将是重要的突破，会衍生很多新型的终端应用产品和企业。