日前，从浙江大学苏州工业技术研究院获悉，该研究院电力电子器件研究中心主任盛况参与的“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”荣获2019年度国家技术发明奖二等奖。

　　据悉，盛况团队由浙大苏州工研院于2011年从学校引入苏州高新区，并设立了电力电子器件研究中心，建成了国内高校中首条针对第三代（宽禁带）半导体器件研究的工艺线，致力于第三代半导体电力电子器件的研发与产业化。研究院及中心为盛况教授本次获批的“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”项目提供了重要的条件支撑和保障。

　　经过近9年建设，浙大苏州工研院已建成电力电子器件、中药现代化技术、数字多媒体、智能材料与微系统等13个研究中心和9个联合研发中心，累计孵化科技型企业78家，集聚双创队伍643人，获得国家、省市区各级双创领军人才57人次，累计销售额超28亿元，已构建形成“学校+研究院+创新型企业集群”一体化产业技术创新体系，“聚焦苏州市、服务江苏省、辐射长三角”的开放性公共创新服务机构。同时，研究院持续强化创新创业公共服务能力建设，已先后获批国家科技企业孵化器、国家级国家技术转移示范机构、国家博士后科研工作站、江苏省产学研重大创新载体、江苏省科技企业孵化器、江苏省中小企业公共服务示范平台（四星级）、江苏省产业人才培训基地、中国孵化器50强等。

　　接下来，研究院将继续立足学校雄厚科技创新资源优势，服务学校“双一流”建设，服务“长三角一体化”国家战略，支撑地方高新技术产业高质量发展，争取早日建成国内一流的产业技术研发与服务平台。