“历经几十年发展，中国已成为全球集成电路产业增速最快、市场需求最大、国际贸易最活跃的地区。产业化进程正在开始，还需不断努力。”在近日举行的“浙江大学硅材料国家重点实验室——黄河水电集成电路硅材料联合研发中心”（以下简称联合研发中心）揭牌仪式上，中国科学院院士杨德仁表示，当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚期。

　　纵观现状，我国高端集成电路制造骨干企业发展迅速，但所需的集成电路产业基础材料——电子级多晶硅和电子级特种气体仍然依赖进口,亟待进行相关产品的研发生产补短板。针对目前半导体硅材料行业发展现状，杨德仁在接受科技日报记者专访时表示，我国半导体硅材料一类是用于太阳能光伏的硅材料，一类是微电子所用的硅材料。在太阳能光伏硅材料方面，我国产业技术和产业规模在国际上均处于第一梯队的领先地位。而微电子硅材料研发生产尚处于第二梯队状态，与国际最好水平还有一定差距。“目前我国已完成或满足了6英寸、5英寸及以下小尺寸集成电路硅片的产业化需求；8英寸硅片关键技术已经突破，目前10%—15%的集成电路用8英寸硅片实现了原产化，12英寸硅片生产技术刚刚取得突破。”杨德仁说。

　　中国电子材料行业协会原秘书长袁桐也认为，我国电子材料行业发展行业规模已达年产值4000亿元。但目前我国电子信息新材料产业发展中存在缺少统筹规划和支持、缺少技术领军企业、下游需求旺盛但多数关键产品严重依赖进口、创新能力不足、高端产品自给率不高、产学研用结合不紧密、产业化能力不强等问题，攻克技术难题势在必行。

　　在此形势下，为提升我国集成电路产业创新能力，联合研发中心应运而生，将围绕集成电路硅材料和高纯特种气体等国家重大需求的关键技术开展研究，助力更好更快地推进科技创新并尽早转化科研成果。

　　黄河上游水电开发有限责任公司党委书记、董事长谢小平接受科技日报记者采访时表示，联合研发中心的成立，将围绕集成电路硅材料和高纯特种气体等国家重大需求的关键技术开展研究，旨在通过校企合作发挥优势互补，构建以企业为主体、产学研相结合的技术研发体系，以集成电路用半导体材料、高纯半导体材料检测技术等开发为研究方向，实现学术研究与市场应用的相互促进。