随着全球集成电路产业发展进入“后摩尔时代”，集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高，人们迫切寻找新的技术方案。北京时间5月8日深夜，国际顶尖学术期刊《自然》（Nature）发表了中国科学院上海微系统与信息技术研究所的最新成果，该所欧欣研究员团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展。

　　据介绍，以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的集成光电技术是应对芯片性能瓶颈问题的颠覆性技术。其中，铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到了广泛关注，哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅谷”模式来建设新一代“铌酸锂谷”的方案。

　　与铌酸锂类似，欧欣团队与合作者研究证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的电光转换特性，且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆（LTOI）的制备工艺与绝缘体上的硅（SOI）更加接近，因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有极高的应用价值。

　　记者了解到，钽酸锂晶体目前在声学滤波器、光电子、光通信以及激光领域应用广泛。受益于技术与应用研究不断深入，钽酸锂晶体行业发展空间不断扩大。然而长期以来，日本占据全球钽酸锂晶体市场主导地位，在技术壁垒高、原材料成本高等因素影响下，此前我国钽酸锂晶体依赖度较高。

　　欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆；进一步，与瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭伯格团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法。

　　结合晶圆级流片工艺，研究人员探索了钽酸锂材料内低双折射对于模式交叉的有效抑制，并验证了可以应用于整个通信波段的钽酸锂光子微腔谐振器。钽酸锂光子芯片不仅展现出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效率，同时研究团队首次在X切型钽酸锂电光平台中成功产生了孤子光学频率梳，结合其电光可调谐性质，有望在激光雷达、精密测量等方面实现应用。

　　值得一提的是，目前研究团队已攻关8英寸薄膜钽酸锂晶圆制备技术，为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了核心材料基础。

　　“相较于薄膜铌酸锂，薄膜钽酸锂更易制备，且制备效率更高。同时，钽酸锂薄膜具有更宽的透明窗口、强电光调制、弱双折射、更强的抗光折变特性，这种先天的材料优势极大地扩展了钽酸锂平台的光学设计自由度。”论文通讯作者、欧欣研究员介绍。

　　据悉，近十年来，上海微系统所欧欣研究员带领的异质集成团队集中突破高品质单晶薄膜制备及异质集成共性技术，同时重点布局基于异质集成材料的5G/6G高频声学射频滤波器、高速集成光子器件及高功率电子器件技术。异质集成团队孵化的上海新硅聚合半导体有限公司正全力推动异质集成材料关键技术的工程化和产业化，为国内相关领域实现自主创新发展奠定了异质集成材料基础。