近些年，由于第三代半导体材料的相关研究大多处于初级阶段，围绕其展开的各种争论不绝于耳，其中最为激烈的便是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的“一哥”之争。而最近，无论是从研发应用引起的市场反响来讲，还是从年后股票市场追捧程度来看，氮化镓王者之相已露端倪。

　　众所周知，第三代半导体又称宽禁带半导体，相较于第一代和第二代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点和优势，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等材料为代表。

　　由于碳化硅、氮化镓之外的其他第三代半导体材料大多处于实验室研发阶段。从应用领域上来讲，氮化镓可以在1～110GHz 范围的高频波段应用三大领域是LED（照明、显示）、射频通讯、高频功率器件；碳化硅主要应用领域在电网、轨道交通、电动汽车及充电桩领域。氮化镓适用于高频领域，碳化硅则主要适用于高压领域。从两者各自的特性，碳化硅是衬底材料最优的选择，以此生长碳化硅的外延片适合高压功率半导体，生长氮化镓的外延片适合中低压功率半导体、LED、射频。如果搭配碳化硅的衬底，氮化镓性能会更优异。

　　在降低成本方面显示出了更强的潜力。目前主流的氮化镓技术厂商都在研发以硅为衬底的氮化镓的器件，以替代昂贵的碳化硅衬底。有分析预测到2019年氮化镓MOSFET的成本将与传统的硅器件相当。其次，由于氮化镓器件是个平面器件，与现有的硅半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。

　　近几年，氮化镓凡是出现，必定引起行业震动。在miniLED应用方面，去年6月硅谷创业公司Mojo Vision公开了超高效和明亮的微米级氮化镓LED屏幕，在芯片上使用氮化镓像素制成完整的阵列；射频应用方面主要是基站PA，去年底三安集成为华为代工PA芯片，采用高频性能更好的GaN材料；在功率器件氮化镓主要用在低压上，今年2月13日小米发布的体积更小、性能和功率倍增的65W氮化镓充电器引爆充电器市场，氮化镓相关概念股瞬间大涨，截止到2月17日A股相关上市公司中，三安光电、士兰微、华微电子和海特高新均实现了大涨，21只个股市值累计增加292亿。行业预计2025年氮化镓的市场规模超过100亿美元。